1、針孔。針孔是由于鍍件表面吸附著氫氣，遲遲不釋放。使鍍液無法親潤鍍件表面，從而無法電析鍍層。隨著析氫點周圍區(qū)域鍍層厚度的增加，析氫點就形成了一個針孔。特點是一個發(fā)亮的圓孔，有時還有一個向上的小尾巴“”。當鍍液中缺少濕潤劑而且電流密度偏高時，容易形成針孔。

2、麻點。麻點是由于受鍍表面不干凈，有固體物質吸附，或者鍍液中固體物質懸浮著，當在電場作用下到達工件表面后，吸附其上，而影響了電析，把這些固體物質嵌入在電鍍層中，形成一個個小凸點(麻點)。特點是上凸，沒有發(fā)亮現象，沒有固定形狀。總之是工件臟、鍍液臟而造成。

3、氣流條紋。氣流條紋是由于添加劑過量或陰極電流密度過高或絡合劑過高而降低了陰極電流效率從而析氫量大。如果當時鍍液流動緩慢，陰極移動緩慢，氫氣貼著工件表面上升的過程中影響了電析結晶的排列，形成自下而上一條條氣流條紋。

4、掩鍍(露底)。掩鍍是由于是工件表面管腳部位的軟性溢料沒有除去，無法在此處進行電析沉積鍍層。電鍍后可見基材，故稱露底(因為軟溢料是半透明的或透明的樹脂成份)。

5、鍍層脆性。在SMD電鍍后切筋成形后，可見在管腳彎處有開裂現象。當鎳層與基體之間開裂，判定是鎳層脆性。當錫層與鎳層之間開裂，判定是錫層脆性。造成脆性的原因多半是添加劑，光亮劑過量，或者是鍍液中無機、有機雜質太多造成。

6、氣袋。氣袋的形成是由于工件的形狀和積氣條件而形成。氫氣積在“袋中”無法排到鍍液液面。氫氣的存在阻止了電析鍍層。使積累氫氣的部位無鍍層。在電鍍時，只要注意工件的鉤掛方向可以避免氣袋現象。如圖示工件電鍍時，當垂直于鍍槽底鉤掛時，不產生氣袋。當平行于槽底鉤掛時，易產生氣袋。

7、塑封黑體中央開“錫花”。在黑體上有錫鍍層，這是由于電子管在焊線時，金絲的向上拋物形太高，塑封時金絲外露在黑體表面，錫就鍍在金絲上，像開了一朵花。不是鍍液問題。

8、“爬錫”。在引線與黑體的結合部(根部)有錫層，像爬墻草一樣向黑體上爬，錫層是樹枝狀的疏松鍍層。這是由于鍍前處理中，用銅刷刷洗SMD框架，而磨損下來的銅粉嵌入黑體不容易洗掉，成為導電“橋”，電鍍時只要電析金屬搭上“橋”，就延伸，樹枝狀沉積爬開來與其他的銅粉連接，爬錫面積越來越大。

9、“須子錫”在引線和黑體的結合部，引線兩側有須子狀錫，在引線正面與黑體結合部有錫焦狀堆錫。這是由于SMD框架在用掩鍍法鍍銀時，掩鍍裝置不嚴密，在不需要鍍銀的地方也鍍上了銀。而在塑封時，有部分銀層露在黑體外面。而在鍍前處理時銀層撬起，鍍在銀上的錫就像須子一樣或成堆錫?？朔y層外露是掩鍍銀技術的關鍵之一。

10、橘皮狀鍍層。當基材很粗糙時，或者前處理過程中有過腐蝕現象或者在Ni42Fe+Cu基材在鍍前處理時，有的銅層已除去，而有的區(qū)域銅層還沒有退除，整個表面發(fā)花不平滑。以上情況都可能造成鍍層橘皮狀態(tài)。

11、凹穴鍍層。鍍層表面有疏密不規(guī)則的凹穴(與針孔有別)呈“天花臉”鍍層。有二種情況可能形成“天花臉”鍍層。

(1)、有的單位用玻璃珠噴射法除去溢料。當噴射的氣壓太高時，玻璃珠的動能慣性把受鍍表面沖擊成一個個的小坑。當鍍層偏薄時，沒有填平凹坑，就成了“天花臉”鍍層。

(2)、基體材料合金金相不均勻，在鍍前處理過程中有選擇性腐蝕現象。(較活潑的金屬先被蝕刻，形成凹穴)。電鍍后沒有填平凹穴，就成“天花臉”鍍層。

例如：Ni42Fe基材，如果在冶金過程中Ni和Fe沒有充分拌和均勻，碾壓成材后材料表面很有可能有的區(qū)域合金金相不均勻。在鍍前處理時，由于Fe比Ni活潑，選擇性優(yōu)先蝕刻，形成凹坑。電鍍層平整不了凹坑就成“天花臉”鍍層。同樣，鋅黃銅也有如此現象，若銅-鋅金相不均，鍍前處理時鋅比銅選擇性先腐蝕，使基材呈凹坑，電鍍后呈凹穴鍍層。