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10)申請公布號 CN 102617048 A _(43)申請公布日2012.08.01
(21)申請?zhí)?201210078085. 6
(22)申請日 2012. 03. 22
(71)申請人聯(lián)海(國際)玻璃技術(shù)有限公司 地址313200浙江省湖州市德清縣武康鎮(zhèn)長虹東街857號
(72)發(fā)明人姚聯(lián)根陳海平楊德兵屠松柏
(74)專利代理機(jī)構(gòu)湖州金衛(wèi)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù) 所(普通合伙)33232
代理人趙衛(wèi)康
(51) Int. Cl.
C03C 17/36(2006. 01)
B32B 15/04(2006. 01)
權(quán)利要求書2頁說明書5頁附圖1頁
(54)發(fā)明名稱
一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作方法
(57)摘要
本發(fā)明公開了 一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作 方法，翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃 基片上依次設(shè)有氮化硅底層、氧化鋅層、金屬鉻層 或金屬鈦層或金屬鉍層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鋅保護(hù)層、氮化硅保護(hù)層及氧化鈦層。其制 作方法為：將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度 設(shè)置在103Pa，線速度設(shè)置為1. 5-2m/min ;依次 在玻璃基片上真空濺射氮化硅底層、氧化鋅層、金 屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層、金屬銀層、氧化鎳 鉻層、氧化鋅保護(hù)層、氮化硅保護(hù)層及氧化鈦層。
本發(fā)明的鍍膜玻璃，以白玻為基片，不但降低了成 本，耐磨、耐腐蝕性能良好，抗氧化性強(qiáng)，可以有效 的控制太陽能輻射，而且制得的鍍膜玻璃的a*可 以達(dá)到≦-40
1. 一種翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片(1)，其特征在于：所述玻璃基片(1)上依次設(shè) 有氮化硅底層(2)、氧化鋅層(3)、金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)、金屬銀層(5)、氧化 鎳鉻層(6 )、氧化鋅保護(hù)層(7 )、氮化硅保護(hù)層(8 )及氧化鈦層(9 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片(1)的厚 度為6-10mm，所述氮化硅底層(2)的厚度為75_83nm，所述氧化鋅層(3)的厚度為25_33nm， 所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)的厚度為6-8nm，所述金屬銀層(5)的厚度 為4. 6-5. lnm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為13_16nm，所述氧化鋅保護(hù)層(7)的厚度為 35-43nm，所述氮化硅保護(hù)層(8)的厚度為71_79nm，所述氧化鈦層(9)的厚度為9_llnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片(1)的厚度 為 6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃，其特征在于：所述氮化硅底層(2)的厚 度為77nm，所述氧化鋅層(3)的厚度為26nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層(4)的厚 度為7nm，所述金屬銀層(5)的厚度為4. 8nm，所述氧化鎳鉻層(6)的厚度為14nm，所述氧化 鋅保護(hù)層(7)的厚度為37nm，所述氮化硅保護(hù)層(8)的厚度為73nm，所述氧化鈦層(9)的厚 度為9nm。
5. 一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟：
a):將6-10㎜厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真 空磁控濺射設(shè)備的基礎(chǔ)真空度設(shè)置在103Pa，線速度設(shè)置為1. 5-2m/min ;
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率 為105-115KW，在玻璃基片上濺射第一層75-83nm的氮化硅底層(2);
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為22-24KW，在玻璃基片上濺射第二層 25-33nm的氧化鋅層(3);
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 0-4. 5KW，在玻璃基片上濺射第三層 6_8nm金屬鉻屋或金屬鈦屋或金屬秘屋(4);
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 1-6. 0KW，在玻璃基片上濺射第四層 4. 6-5. lnm的金屬銀層(5);
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為7-9KW，在玻璃基片上濺射第五層 13-16nm的氧化鎳鉻層(6);
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為26-32KW，在玻璃基片上濺射第六層 35-43nm的氧化鋅保護(hù)層(7);
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為99-103KW，在玻璃基片上濺射第七層 71-79nm的氮化硅保護(hù)層(8);
i):設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為57-61KW，在玻璃基片上濺射第八層 9-1 lnm的氧化鈦層(9)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：
所述步驟a)中，所述玻璃基片厚度為6mm ;
所述步驟b)中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為104KW，在玻璃基片上濺 射第一層77nm的氮化娃底層(2);
所述步驟c)中，設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為23KW，在玻璃基片上濺射第二層26nm的氧化鋅層(3);
所述步驟d)中，設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 2KW，在玻璃基片上濺 射第三層7nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬秘層(4);
所述步驟e)中，設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 5KW，在玻璃基片上濺 射第四層4. 8nm的金屬銀層(5);
所述步驟f)中，設(shè)置第五離線高真空磁控溉射設(shè)備的功率為7. 5KW，在玻璃基片上溉 射第五層14nm的氧化鎳鉻層(6);
所述步驟g)中：設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射 第六層37nm的氧化鋅保護(hù)層(7);
所述步驟h)中，設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為101KW，在玻璃基片上濺 射第七層73nm的氮化硅保護(hù)層(8);
所述步驟i )中，設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為59 KW，在玻璃基片上濺射 第八層9nm的氧化鈦層(9)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步驟a) 中，線速度設(shè)置為1. 5-1. 7m/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步驟a) 中，線速度設(shè)置為1. 5m/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步驟
b)-步驟i)之間是持續(xù)進(jìn)行的。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步驟a) 中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。
一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種玻璃及其制作方法，更具體的說涉及一種利用白玻制作的低輻射 翡翠綠玻璃及制作方法。
背景技術(shù)
[0002]目前，翡翠綠低輻射鍍膜玻璃的制作，一般都是采用綠玻為基片生產(chǎn)的，成本十 分高昂，于是人們開始采用價格低廉的白玻為基片生產(chǎn)鍍膜的翡翠綠玻璃，專利申請?zhí)枮?CN200910027354. 4、申請日為2009年05月31的中國發(fā)明專利公開了一種離線淺綠色低輻 射鍍膜玻璃及其制備方法，其采用白玻為基片，在其上一次真空濺射多個功能層，但是，首 先其制得的玻璃的顏色為淺綠色而不是翡翠綠，其次其制得的玻璃的a*值< -8，與以綠玻 為基片制得的產(chǎn)品a*值相比差別不大。
發(fā)明內(nèi)容
[0003] 本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種翡翠綠鍍膜玻璃及其制作方 法，其以白玻為基片，制作出來的鍍膜玻璃a* ( -40。
[0004] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃 基片，所述玻璃基片上依次設(shè)有氮化硅底層、氧化鋅層、金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層、 金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鋅保護(hù)層、氮化硅保護(hù)層及氧化鈦層。
[0005] 作為優(yōu)選，所述玻璃基片的厚度為6-10mm,所述氮化娃底層的厚度為75_83nm,所 述氧化鋅層的厚度為25-33nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層的厚度為6_8nm，所述 金屬銀層的厚度為4. 6-5. lnm，所述氧化鎳鉻層的厚度為13_16nm，所述氧化鋅保護(hù)層的厚 度為35-43nm，所述氮化硅保護(hù)層的厚度為71_79nm，所述氧化鈦層的厚度為9-llnm。
[0006] 作為優(yōu)選，所述玻璃基片的厚度為6mm。
[0007] 作為優(yōu)選，所述氮化娃底層的厚度為77nm,所述氧化鋅層的厚度為26nm,所述金 屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層的厚度為7nm，所述金屬銀層的厚度為4. 8nm，所述氧化鎳鉻 層的厚度為14nm，所述氧化鋅保護(hù)層的厚度為37nm，所述氮化硅保護(hù)層的厚度為73nm，所 述氧化鈦層的厚度為9nm。
[0008] 一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟：
a):將6-10_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真 空磁控濺射設(shè)備的基礎(chǔ)真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為1. 5-2m/min ;
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率 為105-115KW，在玻璃基片上濺射第一層75-83nm的氮化硅底層;
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為22-24KW，在玻璃基片上濺射第二層 25-33nm的氧化鋅層;
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 0-4. 5KW，在玻璃基片上濺射第三層 6-8nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層;
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 1-6. 0KW，在玻璃基片上濺射第四層 4. 6-5. lnm的金屬銀層;
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為7-9KW，在玻璃基片上濺射第五層 13-16nm的氧化鎳鉻層;
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為26-32KW，在玻璃基片上濺射第六層 35-43nm的氧化鋅保護(hù)層;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為99-103KW，在玻璃基片上濺射第七層 71-79nm的氮化硅保護(hù)層;
i):設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為57-61KW，在玻璃基片上濺射第八層 9-1 lnm的氧化鈦層。
[0009] 作為優(yōu)選，所述步驟a)中，所述玻璃基片厚度為6mm ;
所述步驟b)中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為104KW，在玻璃基片上濺 射第一層77nm的氮化娃底層;
所述步驟c)中，設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為23KW，在玻璃基片上濺射 第二層26nm的氧化鋅層;
所述步驟d)中，設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 2KW，在玻璃基片上濺 射第三層7nm金屬鉻層或金屬鈦層或金屬秘層;
所述步驟e)中，設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 5KW，在玻璃基片上濺 射第四層4. 8nm的金屬銀層;
所述步驟f)中，設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為7. 5KW，在玻璃基片上濺 射第五層14nm的氧化鎳鉻層;
所述步驟g)中：設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射 第六層37nm的氧化鋅保護(hù)層;
所述步驟h)中，設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為101KW，在玻璃基片上濺 射第七層73nm的氮化娃保護(hù)層;
所述步驟i )中，設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為59 KW，在玻璃基片上濺射 第八層9nm的氧化鈦層。
[0010] 作為優(yōu)選，所述步驟a)中，線速度設(shè)置為1. 5-1. 7m/min。
[0011] 作為優(yōu)選，所述步驟a)中，線速度設(shè)置為1. 5m/min。
[0012] 作為優(yōu)選，所述步驟b)-步驟i)之間是持續(xù)進(jìn)行的。
[0013] 作為優(yōu)選，所述步驟a)中，玻璃基片切割后利用超聲波及去離子水清洗。
[0014] 本發(fā)明有益效果在于：
本發(fā)明的翡翠綠鍍膜玻璃，以白玻為基片，不但降低了成本，耐磨、耐腐蝕性能良好，抗 氧化性強(qiáng)，可以有效的控制太陽能輻射，而且其以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定 鍍層間的順序安排以及特定鍍層的厚度設(shè)置，使制得的鍍膜玻璃呈現(xiàn)翡翠綠色且其a*值 (-40。
附圖說明
[0015] 圖1為本發(fā)明一種翡翠綠鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0016] 以下所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。
[0017] 實(shí)施例1，見附圖1，一種翡翠綠鍍膜玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片為白玻，制作 工藝簡單，價格低廉，所述玻璃基片1上依次設(shè)有氮化硅(SiNx)底層2、氧化鋅層(Zn0x)3、 金屬絡(luò)(Cr)層或金屬鈦(Ti)層或金屬秘(Bi)層4、金屬銀(Ag)層5、氧化鎳絡(luò)(附0(^)層
6、氧化鋅(2]101)保護(hù)層7、氮化娃(SiNx)保護(hù)層8及氧化鈦(TiOx)層9。
[0018] 所述玻璃基片1的厚度為6mm，所述氮化硅底層2的厚度為75nm，所述氧化鋅層3 的厚度為25nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4的厚度為6nm，所述金屬銀層5的厚 度為4. 6nm，所述氧化鎳鉻層6的厚度為13nm，所述氧化鋅保護(hù)層7的厚度為35nm，所述氮 化硅保護(hù)層8的厚度為71nm，所述氧化鈦層9的厚度為9nm。
[0019] 一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟：
a):將6_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁 控濺射設(shè)備的基礎(chǔ)真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為1. 5m/min ;玻璃基片切割后利用超 聲波及去離子水清洗;
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率 為105KW，在玻璃基片上濺射第一層75nm的氮化硅底層2 ;
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為22KW，在玻璃基片上濺射第二層25nm 的氧化鋅層3 ;
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 0KW，在玻璃基片上濺射第三層6nm 金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4 ;
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 1KW，在玻璃基片上濺射第四層
4. 6nm的金屬銀層5 ;
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為7KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm 的氧化鎳鉻層6 ;
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射第六層35nm 的氧化鋅保護(hù)層7 ;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為99KW，在玻璃基片上濺射第七層71nm 的氮化硅保護(hù)層8 ;
i):設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為57KW，在玻璃基片上濺射第八層9nm 的氧化鈦層9，所述步驟b)-步驟i)之間是持續(xù)進(jìn)行的。
[0020] 本實(shí)施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定鍍層間的順序安排以及 特定鍍層的厚度設(shè)置，結(jié)合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進(jìn)行檢測，其結(jié)果如下：
a*值彡-38 ;
可見光透射比：40% ;
可見光反射比：25%?30% ;
遮陽系數(shù)：0. 36 ;
傳熱系數(shù)(W/m2K) :1. 6?1. 8。
[0021] 實(shí)施例2，所述玻璃基片1的厚度為10mm，所述氮化硅底層2的厚度為83nm，所述氧化鋅層3的厚度為33nm，所述金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4的厚度為8nm，所述金屬 銀層5的厚度為5. lnm，所述氧化鎳鉻層6的厚度為16nm，所述氧化鋅保護(hù)層7的厚度為 43nm,所述氮化娃保護(hù)層8的厚度為79nm,所述氧化鈦層9的厚度為llnm。
[0022] 一種翡翠綠鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟：
a):將10_厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空 磁控溉射設(shè)備的基礎(chǔ)真空度設(shè)置在10_3Pa，線速度設(shè)置為2m/min ;
b):設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為115KW，在玻璃基片上濺射第一層 75-83nm的氮化娃底層2 ;
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為24KW，在玻璃基片上濺射第二層33nm 的氧化鋅層3 ;
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 5KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm 金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4 ;
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為6. 0KW，在玻璃基片上濺射第四層
5. lnm的金屬銀層5 ;
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為9KW，在玻璃基片上濺射第五層16nm 的氧化鎳鉻層6 ;
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為32KW，在玻璃基片上濺射第六層43nm 的氧化鋅保護(hù)層7 ;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為103KW，在玻璃基片上濺射第七層79nm 的氮化硅保護(hù)層8 ;
i):設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為61KW，在玻璃基片上濺射第八層llnm 的氧化鈦層9。
[0023] 本實(shí)施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定鍍層間的順序安排以及 特定鍍層的厚度設(shè)置，結(jié)合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進(jìn)行檢測，其結(jié)果如下：
a* 值< -37 ;
可見光透射比：40% ;
可見光反射比：25%?30% ;
遮陽系數(shù)：0. 36 ;
傳熱系數(shù)(W/m2K) :1. 6?1. 8。
[0024] 實(shí)施例3，所述氮化硅底層2的厚度為77nm，所述氧化鋅層3的厚度為26nm，所述 金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4的厚度為7nm，所述金屬銀層5的厚度為4. 8nm，所述氧 化鎳鉻層6的厚度為14nm，所述氧化鋅保護(hù)層7的厚度為37nm，所述氮化硅保護(hù)層8的厚 度為73nm，所述氧化鈦層9的厚度為9nm。
[0025] a):將6mm厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真 空磁控濺射設(shè)備的基礎(chǔ)真空度設(shè)置在10-3Pa，線速度設(shè)置為1. 7m/min ;
b):將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率 為104KW，在玻璃基片上濺射第一層77nm的氮化硅底層2 ;
c):設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為23KW，在玻璃基片上濺射第二層26nm 的氧化鋅層3 ;
d):設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為4. 2KW，在玻璃基片上濺射第三層7nm 金屬鉻層或金屬鈦層或金屬鉍層4 ;
e):設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5. 5KW，在玻璃基片上濺射第四層
4. 8nm的金屬銀層5 ;
f):設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為7. 5KW，在玻璃基片上濺射第五層14nm 的氧化鎳鉻層6 ;
g):設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為26KW，在玻璃基片上濺射第六層37nm 的氧化鋅保護(hù)層7 ;
h):設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為101KW，在玻璃基片上濺射第七層73nm 的氮化硅保護(hù)層8 ;
i):設(shè)置第八離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為59KW，在玻璃基片上濺射第八層9nm 的氧化鈦層9。
[0026] 本實(shí)施方式中，以特定的鍍層材料、特定的鍍層層數(shù)、特定鍍層間的順序安排以及 特定鍍層的厚度設(shè)置，結(jié)合特定的工藝，將制作出來的鍍膜玻璃進(jìn)行檢測，其結(jié)果如下：
a* 值< -40 ;
可見光透射比：40% ;
可見光反射比：25%?30%;
遮陽系數(shù)：0. 36 ;
傳熱系數(shù)(W/m2K) :1. 6?1. 8。
[0027] 以上說明僅僅是對發(fā)明的解釋，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能完整的實(shí)施本方案， 但并不是對發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實(shí)施例做 出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，這些都是不具有創(chuàng)造性的修改。但只要在發(fā)明的權(quán)利要求范圍 內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。
