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低碳鋼上電沉積Ni–W–P非晶態(tài)薄膜的方法

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核心提示:公開號 101008096公開日 20070801申請人 清華大學(xué)地址 北京市100084信箱82分箱清華大學(xué)專利辦公室本發(fā)明涉及低碳鋼上電沉積NiWP

公開號 101008096

公開日 20070801

申請人 清華大學(xué)

地址 北京市100084信箱82分箱清華大學(xué)專利辦公室

本發(fā)明涉及低碳鋼上電沉積Ni–W–P非晶態(tài)薄膜的方法,屬于電鍍應(yīng)用領(lǐng)域。本方法首先對低碳鋼基板進行前處理,然后用低碳鋼基板作為陰極,用鎳基板作為陽極,將所述的陰極和陽極分別置于電鍍?nèi)芤褐校撽帢O和陽極在電鍍?nèi)芤褐羞M行氧化還原反應(yīng),在低碳鋼表面直接電鍍上一層Ni–W–P膜。采用本發(fā)明的工藝制備的Ni–W–P膜顆粒均勻細小,表面光亮致密,與基板結(jié)合力強,具有優(yōu)異的抗腐蝕性能。另外該方法溶液配制方便,生產(chǎn)步驟簡單,成本低廉,是各種機件沉積裝飾涂層和功能涂層的理想技術(shù)方案。

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