首先你有一個誤區(qū)，你認為陰極在鍍液里的“電力線”（我很反對這個說法，但是通俗的講這樣也確實最容易理解）分布是均勻的，也就是離子獲得電子被還原的能力，也可以理解為離子運動補充的速度，它服從一個規(guī)律，越靠近液面 能力越弱，越靠近容器邊界能力越弱，所以你底部的沉積速度快，頂部的沉積速度慢，這個是符合客觀規(guī)律的，
   現(xiàn)在我們說改進，讓底部的滾筒靠近容器底部 這樣能減弱一定的沉積能力，然后我們要想辦法減弱離子進入底部滾筒的能力，比如減少底部滾筒的孔眼，增強頂部滾筒的孔眼，這個程度需要自己去做實驗來確認，
  然后運動是有利于離子補充的，也就是電沉積的原材料---離子的多寡濃稀直接影響電沉積的速率，好吧 我們讓底部的滾筒線速度減弱，頂部的線速度增強，
  上述幾種都能規(guī)避你所遇到的問題
一年沒來這里了  順便鄙視下自問自答的ad開頭的一串字母的那個水貨“工程師”